Oder doch das Kirchhoff'sche Beugungsintegral?

Vielleicht drückt das aus, was Du nicht in Worte fassen konntest. Die Mathematik kann das manchmal viel besser.

Kleiner Hinweis: Kontaktbelichtung (das was Du als "Schattenriss" bezeichnest) wird in der Photolithographie bei der IC Herstellung schon seit vielen Jahren nicht mehr eingesetzt. Die Masken sind weit von dem Photolack auf dem Substrat entfernt, siehe hier zB bei DUV:

Das was dort als "projection lens" bezeichnet ist, sieht in Wirklichkeit so aus:

DUV Objektiv von Zeiss aus der 1900er Serie.

Bei EUV nicht anders, nur daß dort Spiegel anstatt Linsen eingesetzt werden.

Und ob Du's glaubst oder nicht, die Maske wird auf das Substrat mit dem Photoresist abgebildet und ganz sicher muß dieses im Fokus sein, sonst ist 1/f=1/b+1/g nicht erfüllt, egal ob mit geometrischer oder Wellenoptik. Klar kann man bei NA=0.55 nicht mehr mit geometrischer Optik rechnen und muß Wellenoptik nehmen.

DT